製品情報

MEMS Foundry Service

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社は、蓄積されたMEMS/半導体加工技術とMEMS受託の実績により、お客様のMEMS開発・生産ニーズを支援し、試作から量産までの一貫したトータルサービスで、幅広いMEMS受託サービスを提供します。

  • 受託サービス範囲

    ウェーハ工程の開発受託(開発、試作)、生産受託(少量生産可)
    (量産だけでなく、開発のみのファウンドリサービスも提供しています)

  • 対応プロセス

    SOIを含むバルクプロセス、サーフェスプロセス、半導体プロセス

  • 製造拠点

    ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング株式会社 鹿児島テクノロジーセンター

  • ISO認証

    ISO9001, TS16949, ISO14001

MEMS受託サービス

MEMS受託サービスのフロー図(お客様と当社の業務分担説明)

* この時間軸は、あくまで目安であり、製品および開発項目によって変化することご容赦ください。
JDA: Joint Development Agreement
WSSA: Wafer Supply & Services Agreement

MEMS受託ビジネス拠点

MEMS受託サービスの営業拠点 Sony Electronics Inc.Component Solutions Business Division カリフォルニア州サンゼノ。MEMS受託サービスの営業拠点 Sony Europe Limited Strategic Technology Partnerships ベイジングストーク,イングランド。MEMS受託サービスの製造拠点 ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング 株式会社鹿児島テクノロジーセンター 鹿児島県霧島市。

MEMS技術の紹介

1. プロセス能力

MEMS Foundry Business Start: April 1, 2004
Location Kirishima City, Kagoshima Prefecture, Japan
Clean Room
Clean rating Class 1-1000
Wafer size 6 inch
Production capacity Small volume engineering samples - mass production
Services Engineering samples, Production
ISO, etc. ISO9001, TS16949, ISO14001
Development/Production experience Sensor, Actuators
Process technology Bulk processing including SOI, Cavity-SOI, Surface processing, Mixed signal semiconductor processing
Equipment
Photolythography Stepper, Double sided aligner, Coater, Developer
Heat treatment/diffusion Diffusion, Ionic diffusion
Deposition LPCVD, PCVD, Sputter, Vapor deposition, Doped Poly, Epi Poly
Dry etch RIE, DeepRIE, Asher
Wet etch HF, KOH, Resist removal
Bonding Metal bonding, Glass frit bonding
Cleaning RCA, Organic cleaning
Other Plating, Lift off
LowStress SiN, LowStress Poly, LowStress Epi Si
Epi
Laser dicing (Stealth)
Design/Analysis LSI design, Analysis environment
Measurement/Evaluation LSI & MEMS measurement (Probing), Evaluation environment
Assembly/Packaging LSI assembly

2. 扱える材料

  1A 2A 3A 4A 5A 6A 7A 8 1B 2B 3B 4B 5B 6B 7B 0
  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
1 1
H
  2
He
2 3
Li
4
Be
  5
B
6
C
7
N
8
O
9
F
10
Ne
3 11
Na
12
Mg
  13
Al
14
Si
15
P
16
S
17
Cl
18
Ar
4 19
K
20
Ca
21
Sc
22
Ti
23
V
24
Cr
25
Mn
26
Fe
27
Co
28
Ni
29
Cu
30
Zn
31
Ga
32
Ge
33
As
34
Se
35
Br
36
Kr
5 37
Rb
38
Sr
39
Y
40
Zr
41
Nb
42
Mo
43
Tc
44
Ru
45
Rh
46
Pd
47
Ag
48
Cd
49
In
50
Sn
51
Sb
52
Te
53
I
54
Xe
6 55
Cs
56
Ba
  72
Hf
73
Ta
74
W
75
Re
76
Os
77
Ir
78
Pt
79
Au
80
Hg
81
Tl
82
Pb
83
Bi
84
Po
85
At
86
Rn

3. プロセス技術

  • TSV (Through Silicon Via)

    Features

    • High aspect ratio TSV
    • High-density TSV
  • WLP (Wafer Level Package)

    Features

    • Au - Si Eutectic Bonding
    • Vacuum Sealing
    • Au - Au Bonding
    • Glass Frit Bonding
    • Resin Bonding
  • Deep RIE Process

    Features

    • High aspect ratios
    • Various taper angles
    • Filling
  • Epi Poly Process

    Features

    • Thick Poly-Si
    • Low-resistance Poly-Si
    • Low-stress Poly-Si
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