企業情報

1953

• 沿革ソニーの半導体プロジェクト発足

1954

• 歴史日本初のトランジスタの試作に成功
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1957

• 歴史エサキダイオード発明
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1958

• 歴史シリコンパワートランジスタ開発
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1960

• 沿革ソニー（株）厚木工場建設
  

1966

• 歴史小型ラジオ用モノリシックICを世界で初めて商品化
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1968

• 歴史新半導体素子ソニーマグネットダイオード（SMD）を開発
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1969

• 沿革ソニー白石セミコンダクタ（株）設立
  

1970

• 歴史CCDの開発に着手

1972

• 歴史8x8画素のCCD撮像に初めて成功
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1973

• 沿革ソニー国分セミコンダクタ（株）設立
  

1977

• 歴史UHF、VHF電子チューナー用可変容量ダイオード量産化
• 歴史TVチューナー用高信頼性MNOS型不揮発性メモリ商品化

1978

• 歴史11万画素のCCDイメージャーを開発
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1980

• 歴史CCD初の商品化。CCDカラーカメラ「XC-1」がジャンボジェット機に搭載
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• 歴史結晶技術のMCZ法を開発
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1982

• 歴史コンパクトディスク（CD）用LSIを開発
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1984

• 歴史世界初のMOCVDによる半導体レーザ2機種を商品化
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• 沿革ソニー大分（株）設立
  

1986

• 歴史デジタルオーディオテープレコーダー（DAT）用LSIを開発

• 沿革ソニーテクニカルソフト（株）設立
  

1987

• 歴史世界初光出力1Wの超高出力レーザーを商品化
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• 沿革ソニー長崎（株）設立

1989

• 歴史パスポートサイズハンディカム®向け1/2インチ25万画素CCD撮像素子を商品化
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• 歴史世界初高速4MビットSRAMの開発に成功
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1990

• 歴史世界初HDTV用1インチ200万画素FIT方式CCD撮像素子を開発
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• 沿革ソニーテクニカルソフト（株）からソニー・エルエスアイ・デザイン（株）に社名変更

1991

• 沿革ソニー国分セミコンダクタ（株）からソニー国分（株）に社名変更
• 沿革ソニー・エルエスアイ・デザイン（株）、本社移転（YBPイーストタワー11F）

1992

• 歴史ハイビジョンMUSEデコーダー用LSIを開発
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• 歴史HDTV用2/3インチ200万画素FIT方式CCD撮像素子を開発
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• 歴史ミニディスクシステム（MD）専用LSIを商品化
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1993

• 歴史世界最高速の16MビットSRAMを開発
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• 歴史TFT方式で世界最小サイズ0.55型11.3万ドットカラーLCD、世界最高画素数0.7型18万ドットカラーLCDを商品化
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1994

• 歴史1/4インチ41万画素カラーCCD撮像素子を商品化
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1995

• 歴史高速シリアルバス規格IEEE1394準拠LSIを商品化
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• 沿革ソニー・エルエスアイ・デザイン（株）、本社移転・厚木事業所統合（YBP研究棟）
  

1996

• 歴史低温プロセスによるポリシリコンTFT形成技術を確立
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• 歴史DRAM混載MD用LSIを商品化
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• 歴史CMOSイメージセンサーの開発開始

1997

• 歴史1チップMPEG2ビデオエンコーダーLSIを開発
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• 歴史2.5型18万ドット低温ポリシリコンTFT LCD及び1/3インチ68万（有効34万）画素CCDを開発
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1998

• 歴史近赤外光領域も高感度に感知するEXview HAD CCD（近赤外光）商品化

1999

• 歴史CD系記録・再生用/DVD系再生用の1チップ2波長レーザーダイオード開発

2000

• 歴史ソニーとして初めてのCMOSイメージセンサー「IMX001］を商品化。「AIBO」に搭載

• 沿革ソニー・エルエスアイ・デザイン（株）、九州支社開設（のちに本社へ改称）
  

2001

• 歴史ネットワークハンディカム向け低消費電力システムLSI（2種類）開発
• 歴史超高開口プロセス技術を用いた高温ポリシリコンTFT液晶パネル開発（0.9型XGA, 開口率66.1%）
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• 沿革九州3事業所（ソニー国分、ソニー大分、ソニー長崎）を統合し、ソニーセミコンダクタ九州（株）を設立。それぞれの事業所名を国分テクノロジーセンター, 大分テクノロジーセンター、長崎テクノロジーセンターに改称
• 沿革ソニーセミコンダクタ九州（株）熊本テクノロジーセンター設立
  

2002

• 歴史容量1.5mlの超小型テレビチューナーモジュールを商品化
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• 歴史リコンフィギュラブル回路技術"Virtual Mobile Engine"開発
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• 沿革ソニー・エルエスアイ・デザイン（株）、厚木事業所開設

2003

• 歴史世界初"モノリシック型"高出力2波長レーザーダイオードを開発
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• 歴史世界初1チップGPS用LSIを開発
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• 歴史色再現の差を半減させる 4色カラーフィルターCCDと新画像処理プロセッサーを開発
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• 歴史16倍速のDVD記録を可能にする業界最高レベルの220mW

2004

• 歴史アスペクト比16:9の1080iハイビジョン撮影を可能にする民生用として初の「1080i 対応HD CCD」を商品化
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• 歴史高画質な記録再生を実現する1チップMPEGコーデックLSI（CXD4702GB）を開発
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• 歴史CCDからCMOSイメージセンサーに注力することを方針決定

• 沿革（株）ソニー・コンピュータエンタテインメントの「Fab」を、ソニーセミコンダクタ九州（株）に統合 （長崎TECに含む）

2005

• 歴史民生用初のハイビジョン対応デジタルビデオカメラ用CMOSセンサー商品化（1/3型297万画素）
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• 歴史世界最小0.61型フルＨＤ対応ディスプレイデバイス「SXRD」商品化
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• 歴史モバイル機器での地上デジタルテレビ1セグメント方送受信を可能にする小型デジタルチューナーモジュールを商品化
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2006

• 歴史高解像度化と高感度化の両立を実現する新構造“クリアビッドCMOSセンサー”商品化
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• 歴史APSサイズ民生向けデジタルスチルカメラ用1020万画素CCD商品化
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• 歴史“Cell Broadband EngineTM”量産
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• 沿革国分テクノロジーセンターの事業所名を鹿児島テクノロジーセンターに改称

2007

• 歴史無機配向膜を採用し世界最高水準の高輝度を実現した0.79型透過型マイクロディスプレイ“BrightEra”商品化
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• 歴史2層2〜4倍速記録対応ブルーレイディスク用高出力青紫色半導体レーザ商品化
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• 歴史APS-Cサイズで業界最多の有効1247万画素を実現したデジタル一眼レフカメラ向けCMOSイメージセンサー製品化
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• 歴史プロジェクター向けハイフレームレート対応0.61型 フルHDディスプレイデバイス “SXRD”開発
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2008

• 歴史35mmフルサイズで有効2481万画素と高速読み出しを実現したデジタル一眼レフカメラ向けCMOSイメージセンサー開発
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• 歴史従来比約2倍の感度および低ノイズで高画質を実現した裏面照射型CMOSイメージセンサー開発
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• 歴史世界初 、業界最多の有効1225万画素携帯電話向けCMOSイメージセンサー商品化
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• 沿革東芝、ソニー、SIE、3社出資によりウェーハ製造会社長崎セミコンダクタ・マニュファクチュアリング（株）設立

2009

• 歴史世界初裏面照射型CMOSイメージセンサーを商品化。デジタルハイビジョンハンディカム®に搭載。
• 歴史世界初「TransferJet」規格対応LSIを商品化
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• 歴史世界初、地上デジタル放送規格「DVB-T2」用復調LSIを商品化
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2010

• 歴史業界初「BDXL™」対応ブルーレイディスク用パルス400mW級高出力青紫色半導体レーザーの販売開始
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• 歴史世界初 有効1641万画素の携帯電話向け裏面照射型CMOSイメージセンサーを商品化
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• 歴史新開発スーパー35mm相当CMOSイメージセンサーをデジタルシネマカムコーダーに搭載。
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2011

• 歴史新開発 世界最小0.74型4K ディスプレイデバイス"SXRD"
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• 沿革ソニー白石セミコンダクタ（株）をソニーセミコンダクタ九州（株）に吸収合併。社名をソニーセミコンダクタ（株）に変更。ソニー白石セミコンダクタ（株）の事業所名を、白石蔵王テクノロジーセンターに改称

2012

• 歴史大画面・高画質に優れた次世代ディスプレイ"Crystal LED Display"を開発
• 歴史カメラの進化を実現し続ける積層型CMOSイメージセンサーおよび、新機能「RGBWコーディング」「HDRムービー」を開発
• 歴史カメラの進化を実現し続ける次世代の裏面照射型CMOSイメージセンサーを開発
• 歴史世界最高のデータ伝送速度6.3 Gb/sを実現する低消費電力・広帯域ミリ波無線用LSIを共同開発
• 歴史世界初、発振波長530nm帯で100mW以上の光出力を有する純緑色半導体レーザーを開発
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• 歴史世界初 積層型CMOSイメージセンサーとイメージングモジュールを商品化
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• 沿革ソニー・エルエスアイ・デザイン（株）をソニーLSIデザイン（株）に社名表記変更。九州本社を福岡事業所に改称
• 沿革愛知県知多郡東浦町にある（株）ジャパンディスプレイウェスト内に、ソニーセミコンダクタ（株）東浦サテライトを新設
• 沿革ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス（株）のラミネート基板の製造事業を会社分割（吸収分割）にて承継。ソニーセミコンダクタ（株）根上サイトを新設

2013

• 歴史業界最小10mWの低消費電力を実現　モバイル機器向け GNSS（全地球衛星測位システム）受信LSIを商品化
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• 沿革ソニーセミコンダクタ（株）の本社所在地を熊本県菊池郡菊陽町に変更

2014

• 歴史最大99％の再生材使用率と高い耐久性・耐熱性を実現した 難燃性再生プラスチックSORPLAS™（ソープラス）の外販を開始
• 歴史世界最高感度の車載カメラ向けCMOSイメージセンサーを商品化
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• 歴史業界初、像面位相差AF信号処理機能の搭載で高速AFを実現した積層型CMOSイメージセンサーを商品化
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• 沿革ラミネート基板事業の収束に伴い、ソニーセミコンダクタ（株）根上サイトを閉鎖
• 沿革ルネサス（株）鶴岡工場を買収し、ソニーセミコンダクタ（株）山形テクノロジーセンターを設立
  

2015

• 歴史世界初Ｃu‐Cu接続技術を量産化。

• 沿革距離画像センサー技術を保有するベルギーのSoftkinetic Systems S.A.（ソフトキネティックシステムズ社）を買収

2016

• 歴史業界初、ハイブリットAFと3軸電子手ブレ補正機能を内蔵した積層型CMOSイメージセンサーを商品化
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• 歴史4K/8K衛星デジタル放送に向けて業界初の「ISDB-S3」対応の復調LSIおよびチューナーモジュールを商品化
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• 沿革LTE通信向けモデムチップ技術を保有するイスラエル国 Altair Semiconductor（アルティア社）を買収
• 沿革ソニー（株）の半導体事業を分社し、ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）営業開始
  
• 沿革社名をソニーセミコンダクタ（株）からソニーセミコンダクタマニュファクチャリング（株）に変更。大分市に大分テクノロジーセンターを新設。国東市にある工場の名称を大分テクノロジーセンター 国東サテライトに変更
  
• 沿革ソニーLSIデザイン（株）が本社移転（厚木）
  

2017

• 歴史業界初、DRAMを積層した3層構造のスマートフォン向けCMOSイメージセンサーを開発
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• 歴史LEDフリッカー抑制とHDR撮影を同時実現 車載カメラ向けCMOSイメージセンサー業界初の商品化
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• 歴史独自の低消費電力広域（LPWA）ネットワーク技術を開発
• 歴史毎秒1,000フレームで対象物の検出と追跡を実現する高速ビジョンセンサーを商品化
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• 歴史業界最小画素の裏面照射型Time of Flight方式距離画像センサーを開発
• 歴史業界最高解像度の車載カメラ向け有効742万画素積層型CMOSイメージセンサーを商品化
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• 歴史裏面照射型Time of Flight方式距離画像センサーを商品化
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2018

• 歴史低消費電力のIoT向けスマートセンシングプロセッサ搭載ボード「SPRESENSE™」を商品化
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• 歴史0.5型として最高解像度のUXGA有機ELマイクロディスプレイを商品化
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• 歴史世界最小0.37型フルHD反射型液晶ディスプレイデバイスSXRD™および専用信号処理駆動LSIを商品化
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• 歴史業界最多有効4800万画素のスマートフォン向け積層型CMOSイメージセンサーを商品化
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• 歴史業界最多有効　540万画素のHDR撮影とLEDフリッカー抑制を同時に実現する車載カメラ向けCMOSイメージセンサーを商品化
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2019

• 歴史ソニー独自の低消費電力広域（LPWA）通信規格ELTRES™に対応した通信モジュールを商品化
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• 歴史世界最小1/2.8型セキュリティカメラ向け4K解像度CMOSイメージセンサーおよび低照度性能を向上した2タイプを商品化
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• 歴史裏面照射型画素構造のグローバルシャッター機能を搭載した積層型CMOSイメージセンサー 6タイプを産業機器向けに商品化
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• 沿革仮想ネットワークなどの仮想化技術を有するMido Holdings Ltd.（ミドクラ社）を買収