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ソニーの半導体の歴史 / 沿革

  • 歴史

  • 沿革

1950 1959 開く

1953

  • 沿革ソニーの半導体プロジェクト発足

1954

  • 歴史日本初のトランジスタの試作に成功

1957

  • 歴史エサキダイオード発明

1958

  • 歴史シリコンパワートランジスタ開発

1960 1969 開く

1960

  • 沿革ソニー(株)厚木工場建設

1966

  • 歴史小型ラジオ用モノリシックICを世界で初めて商品化

1968

  • 歴史新半導体素子ソニーマグネットダイオード(SMD)を開発

1969

  • 沿革ソニー白石セミコンダクタ(株)設立

1970 1979 開く

1970

  • 歴史CCDの開発に着手

1972

  • 歴史8x8画素のCCD撮像に初めて成功

1973

  • 沿革ソニー国分セミコンダクタ(株)設立

1977

  • 歴史UHF、VHF電子チューナー用可変容量ダイオード量産化
  • 歴史TVチューナー用高信頼性MNOS型不揮発性メモリ商品化

1978

  • 歴史11万画素のCCDイメージャーを開発

1980 1989 開く

1980

  • 歴史CCD初の商品化。CCDカラーカメラ「XC-1」がジャンボジェット機に搭載
  • 歴史結晶技術のMCZ法を開発

1982

  • 歴史コンパクトディスク(CD)用LSIを開発

1984

  • 歴史世界初のMOCVDによる半導体レーザ2機種を商品化
  • 沿革ソニー大分(株)設立

1986

  • 歴史デジタルオーディオテープレコーダー(DAT)用LSIを開発
  • 沿革ソニーテクニカルソフト(株)設立

1987

  • 歴史世界初光出力1Wの超高出力レーザーを商品化
  • 沿革ソニー長崎(株)設立

1989

  • 歴史パスポートサイズハンディカム®向け1/2インチ25万画素CCD撮像素子を商品化
  • 歴史世界初高速4MビットSRAMの開発に成功

1990 1999 開く

1990

  • 歴史世界初HDTV用1インチ200万画素FIT方式CCD撮像素子を開発
  • 沿革ソニーテクニカルソフト(株)からソニー・エルエスアイ・デザイン(株)に社名変更

1991

  • 沿革ソニー国分セミコンダクタ(株)からソニー国分(株)に社名変更
  • 沿革ソニー・エルエスアイ・デザイン(株)、本社移転(YBPイーストタワー11F)

1992

  • 歴史ハイビジョンMUSEデコーダー用LSIを開発
  • 歴史HDTV用2/3インチ200万画素FIT方式CCD撮像素子を開発
  • 歴史ミニディスクシステム(MD)専用LSIを商品化

1993

  • 歴史世界最高速の16MビットSRAMを開発
  • 歴史TFT方式で世界最小サイズ0.55型11.3万ドットカラーLCD、世界最高画素数0.7型18万ドットカラーLCDを商品化

1994

  • 歴史1/4インチ41万画素カラーCCD撮像素子を商品化

1995

  • 歴史高速シリアルバス規格IEEE1394準拠LSIを商品化
  • 沿革ソニー・エルエスアイ・デザイン(株)、本社移転・厚木事業所統合(YBP研究棟)

1996

  • 歴史低温プロセスによるポリシリコンTFT形成技術を確立
  • 歴史DRAM混載MD用LSIを商品化
  • 歴史CMOSイメージセンサーの開発開始

1997

  • 歴史1チップMPEG2ビデオエンコーダーLSIを開発
  • 歴史2.5型18万ドット低温ポリシリコンTFT LCD及び1/3インチ68万(有効34万)画素CCDを開発

1998

  • 歴史近赤外光領域も高感度に感知するEXview HAD CCD(近赤外光)商品化

1999

  • 歴史CD系記録・再生用/DVD系再生用の1チップ2波長レーザーダイオード開発

2000 2009 開く

2000

  • 歴史ソニーとして初めてのCMOSイメージセンサー「IMX001]を商品化。「AIBO」に搭載
  • 沿革ソニー・エルエスアイ・デザイン(株)、九州支社開設(のちに本社へ改称)

2001

  • 歴史ネットワークハンディカム向け低消費電力システムLSI(2種類)開発
  • 歴史超高開口プロセス技術を用いた高温ポリシリコンTFT液晶パネル開発(0.9型XGA, 開口率66.1%)
  • 沿革九州3事業所(ソニー国分、ソニー大分、ソニー長崎)を統合し、ソニーセミコンダクタ九州(株)を設立。それぞれの事業所名を国分テクノロジーセンター, 大分テクノロジーセンター、長崎テクノロジーセンターに改称
  • 沿革ソニーセミコンダクタ九州(株)熊本テクノロジーセンター設立

2002

  • 歴史容量1.5mlの超小型テレビチューナーモジュールを商品化
  • 歴史リコンフィギュラブル回路技術"Virtual Mobile Engine"開発
  • 沿革ソニー・エルエスアイ・デザイン(株)、厚木事業所開設

2003

  • 歴史世界初"モノリシック型"高出力2波長レーザーダイオードを開発
  • 歴史世界初1チップGPS用LSIを開発
  • 歴史色再現の差を半減させる 4色カラーフィルターCCDと新画像処理プロセッサーを開発
  • 歴史16倍速のDVD記録を可能にする業界最高レベルの220mW

2004

  • 歴史アスペクト比16:9の1080iハイビジョン撮影を可能にする民生用として初の「1080i 対応HD CCD」を商品化
  • 歴史高画質な記録再生を実現する1チップMPEGコーデックLSI(CXD4702GB)を開発
  • 歴史CCDからCMOSイメージセンサーに注力することを方針決定
  • 沿革(株)ソニー・コンピュータエンタテインメントの「Fab」を、ソニーセミコンダクタ九州(株)に統合 (長崎TECに含む)

2005

  • 歴史民生用初のハイビジョン対応デジタルビデオカメラ用CMOSセンサー商品化(1/3型297万画素)
  • 歴史世界最小0.61型フルHD対応ディスプレイデバイス「SXRD」商品化
  • 歴史モバイル機器での地上デジタルテレビ1セグメント方送受信を可能にする小型デジタルチューナーモジュールを商品化

2006

  • 歴史高解像度化と高感度化の両立を実現する新構造“クリアビッドCMOSセンサー”商品化
  • 歴史APSサイズ民生向けデジタルスチルカメラ用1020万画素CCD商品化
  • 歴史“Cell Broadband EngineTM”量産
  • 沿革国分テクノロジーセンターの事業所名を鹿児島テクノロジーセンターに改称

2007

  • 歴史無機配向膜を採用し世界最高水準の高輝度を実現した0.79型透過型マイクロディスプレイ“BrightEra”商品化
  • 歴史2層2〜4倍速記録対応ブルーレイディスク用高出力青紫色半導体レーザ商品化
  • 歴史APS-Cサイズで業界最多の有効1247万画素を実現したデジタル一眼レフカメラ向けCMOSイメージセンサー製品化
  • 歴史プロジェクター向けハイフレームレート対応0.61型 フルHDディスプレイデバイス “SXRD”開発

2008

  • 歴史35mmフルサイズで有効2481万画素と高速読み出しを実現したデジタル一眼レフカメラ向けCMOSイメージセンサー開発
  • 歴史従来比約2倍の感度および低ノイズで高画質を実現した裏面照射型CMOSイメージセンサー開発
  • 歴史世界初 、業界最多の有効1225万画素携帯電話向けCMOSイメージセンサー商品化
  • 沿革東芝、ソニー、SIE、3社出資によりウェーハ製造会社長崎セミコンダクタ・マニュファクチュアリング(株)設立

2009

  • 歴史世界初裏面照射型CMOSイメージセンサーを商品化。デジタルハイビジョンハンディカム®に搭載。
  • 歴史世界初「TransferJet」規格対応LSIを商品化
  • 歴史世界初、地上デジタル放送規格「DVB-T2」用復調LSIを商品化

2010 2019 開く

2010

  • 歴史業界初「BDXL™」対応ブルーレイディスク用パルス400mW級高出力青紫色半導体レーザーの販売開始
  • 歴史世界初 有効1641万画素の携帯電話向け裏面照射型CMOSイメージセンサーを商品化
  • 歴史新開発スーパー35mm相当CMOSイメージセンサーをデジタルシネマカムコーダーに搭載。

2011

  • 歴史新開発 世界最小0.74型4K ディスプレイデバイス"SXRD"
  • 沿革ソニー白石セミコンダクタ(株)をソニーセミコンダクタ九州(株)に吸収合併。社名をソニーセミコンダクタ(株)に変更。ソニー白石セミコンダクタ(株)の事業所名を、白石蔵王テクノロジーセンターに改称

2012

  • 歴史大画面・高画質に優れた次世代ディスプレイ"Crystal LED Display"を開発
  • 歴史カメラの進化を実現し続ける積層型CMOSイメージセンサーおよび、新機能「RGBWコーディング」「HDRムービー」を開発
  • 歴史カメラの進化を実現し続ける次世代の裏面照射型CMOSイメージセンサーを開発
  • 歴史世界最高のデータ伝送速度6.3 Gb/sを実現する低消費電力・広帯域ミリ波無線用LSIを共同開発
  • 歴史世界初、発振波長530nm帯で100mW以上の光出力を有する純緑色半導体レーザーを開発
  • 歴史世界初 積層型CMOSイメージセンサーとイメージングモジュールを商品化
  • 沿革ソニー・エルエスアイ・デザイン(株)をソニーLSIデザイン(株)に社名表記変更。九州本社を福岡事業所に改称
  • 沿革愛知県知多郡東浦町にある(株)ジャパンディスプレイウェスト内に、ソニーセミコンダクタ(株)東浦サテライトを新設
  • 沿革ソニーケミカル&インフォメーションデバイス(株)のラミネート基板の製造事業を会社分割(吸収分割)にて承継。ソニーセミコンダクタ(株)根上サイトを新設

2013

  • 歴史業界最小10mWの低消費電力を実現 モバイル機器向け GNSS(全地球衛星測位システム)受信LSIを商品化
  • 沿革ソニーセミコンダクタ(株)の本社所在地を熊本県菊池郡菊陽町に変更

2014

  • 歴史最大99%の再生材使用率と高い耐久性・耐熱性を実現した 難燃性再生プラスチックSORPLAS™(ソープラス)の外販を開始
  • 歴史世界最高感度の車載カメラ向けCMOSイメージセンサーを商品化
  • 歴史業界初、像面位相差AF信号処理機能の搭載で高速AFを実現した積層型CMOSイメージセンサーを商品化
  • 沿革ラミネート基板事業の収束に伴い、ソニーセミコンダクタ(株)根上サイトを閉鎖
  • 沿革ルネサス(株)鶴岡工場を買収し、ソニーセミコンダクタ(株)山形テクノロジーセンターを設立

2015

  • 歴史世界初Cu‐Cu接続技術を量産化。
  • 沿革距離画像センサー技術を保有するベルギーのSoftkinetic Systems S.A.(ソフトキネティックシステムズ社)を買収

2016

  • 歴史業界初、ハイブリットAFと3軸電子手ブレ補正機能を内蔵した積層型CMOSイメージセンサーを商品化
  • 歴史4K/8K衛星デジタル放送に向けて業界初の「ISDB-S3」対応の復調LSIおよびチューナーモジュールを商品化
  • 沿革LTE通信向けモデムチップ技術を保有するイスラエル国 Altair Semiconductor(アルティア社)を買収
  • 沿革ソニー(株)の半導体事業を分社し、ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)営業開始
  • 沿革社名をソニーセミコンダクタ(株)からソニーセミコンダクタマニュファクチャリング(株)に変更。大分市に大分テクノロジーセンターを新設。国東市にある工場の名称を大分テクノロジーセンター 国東サテライトに変更
  • 沿革ソニーLSIデザイン(株)が本社移転(厚木)

2017

    歴史
  • 業界初、DRAMを積層した3層構造のスマートフォン向けCMOSイメージセンサーを開発
  • 歴史LEDフリッカー抑制とHDR撮影を同時実現 車載カメラ向けCMOSイメージセンサー業界初の商品化
  • 歴史独自の低消費電力広域(LPWA)ネットワーク技術を開発
  • 歴史毎秒1,000フレームで対象物の検出と追跡を実現する高速ビジョンセンサーを商品化
  • 歴史業界最小画素の裏面照射型Time of Flight方式距離画像センサーを開発
  • 歴史業界最高解像度の車載カメラ向け有効742万画素積層型CMOSイメージセンサーを商品化
  • 歴史裏面照射型Time of Flight方式距離画像センサーを商品化

2018

  • 歴史低消費電力のIoT向けスマートセンシングプロセッサ搭載ボード「SPRESENSE™」を商品化
  • 歴史0.5型として最高解像度のUXGA有機ELマイクロディスプレイを商品化
  • 歴史世界最小0.37型フルHD反射型液晶ディスプレイデバイスSXRD™および専用信号処理駆動LSIを商品化
  • 歴史業界最多有効4800万画素のスマートフォン向け積層型CMOSイメージセンサーを商品化
  • 歴史業界最多有効 540万画素のHDR撮影とLEDフリッカー抑制を同時に実現する車載カメラ向けCMOSイメージセンサーを商品化

2019

  • 歴史ソニー独自の低消費電力広域(LPWA)通信規格ELTRES™に対応した通信モジュールを商品化
  • 歴史世界最小1/2.8型セキュリティカメラ向け4K解像度CMOSイメージセンサーおよび低照度性能を向上した2タイプを商品化
  • 沿革仮想ネットワークなどの仮想化技術を有するMido Holdings Ltd.(ミドクラ社)を買収
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